近日，苏州市科协、市工信局、市人社局、市总工会联合发布《关于公布苏州市 2022～2023 年度“讲理想、比贡献”创新创业“双杯赛”活动优秀项目和个人名单的通知》（苏科协〔2023〕138号）文件。苏州市吴江区光电科学技术协会（吴江光电产业科协）多家委员单位申报的8个项目成功入选！

11月30日，在苏州市科协、吴江区科协的指导和支持下，作为全市开展千名青年科技人才科学家精神研学活动系列之一，“苏州市光电产业青年科技人才科学家精神研学活动”率先顺利开展。 活动由苏州市吴江区光电科学技术协会（吴江光电产业科协）、苏州市光电产业商会联合组织，来自全市光电线缆、光电通信、光电显示、光学光电子、光电器件及装备的科创型企业、科研院所和院校的近40位产业青年科技工作者优秀代表参加。

11月30日，“苏州市海洋信息技术创新联合体研学活动暨2023年度工作会议”顺利开展。苏州市海洋信息技术创新联合体主办，江苏深远海洋信息技术与装备创新中心有限公司、苏州市吴江区光电科学技术协会承办，海洋信息技术与装备产业联盟、江苏省海洋信息技术与装备创新中心联办。 吴江区科技局、亨通集团研究院相关领导和江苏深远海洋信息技术与装备创新中心有限公司、苏州市吴江区光电科学技术协会等“苏州市海洋信息技术创新联合体”全体成员单位相关负责人参加。 吴江科技局宋银初主任、合作科邱耀杰科长、办公室施斌政主任等领导出席，对苏州市海洋信息技术创新联合体的建设工作进行了指导。

近日，江苏青年企业家培养“新动力”计划推进会在南京举行。省委副书记、省委组织部部长沈莹出席会议并讲话。团省委、省委人才办、省发改委、省科技厅、省工信厅、省商务厅、省市场监管局、省地方金融监管局等单位负责人，全省各地团市委负责人，及导师代表、科技金融支持单位代表、全省领军型青年企业家代表等200余人出席会议。吴江光电产业科协联合主席、江苏永鼎股份有限公司董事长莫思铭作为领军型青年企业家代表参加会议并作发言。

11月21日-23日，江苏省工商联举办主题为“学思想、明方向、强信心、建新功”的全省年轻一代民营经济人士理想信念教育活动，省工商联党组成员、副主席熊杰出席并讲话，省工商联二级巡视员、宣教处处长丁宽宝主持会议。吴江光电产业科协主席、亨通集团副总裁、亨通光电董事长崔巍受邀参加活动并作分享交流。

11月22日，中国科学院、中国工程院公布2023年院士增选结果，四位东大人分别当选两院院士。其中，东南大学信息科学与工程学院尤肖虎教授当选中国科学院院士。

11月20日，《光电产业“最美科技工作者”评价通则》团体标准第二次编制工作会议在苏州市职业大学顺利召开。苏州市吴江区光电科学技术协会（吴江光电产业科协）、苏州市光电产业商会主办，苏州市职业大学联办。活动主题是：标准引领、赋能创新。

近日，省科协公布了2023年“科创江苏”企业创新达人和企业创新达人宣讲代表名单。全省共评出100名企业创新达人和10名企业创新达人宣讲代表。位于汾湖高新区的苏州微光电子融合技术研究院有限公司董事长兼总经理黄北举成功入选，成为全区唯一入选的企业创新达人，也是全市唯一入选的宣讲代表。

日前，苏州市吴江区人民政府下发《关于公布2021-2022年度吴江区自然科学优秀学术论文的通知》（吴政发〔2023〕60号），对优秀论文予以公布表彰。其中，苏州市吴江区光电科学技术协会（吴江光电产业科协）推荐的13篇论文入选，包括一等奖1篇、二等奖3篇、三等奖9篇。 吴江光电产业科协也获表彰为“优秀组织单位”！这是继2019年首次参与区自然科学优秀学术论文评选工作以来，连续三次获此表彰（分别为2019年、2021年、2023年）。

北京大学电子学院王兴军教授、彭超教授、舒浩文研究员联合团队在超高速纯硅调制器方面取得创纪录突破，实现了全球首个电光带宽达110GHz的纯硅调制器，是自2004年英特尔在《自然》期刊报道第一个1GHz硅调制器后，国际上首次把纯硅调制器带宽提高到100GHz以上。相关研究成果日前以《110GHz带宽慢光硅调制器》为题在线发表于《科学·进展》。 “该纯硅调制器同时具有超高带宽、超小尺寸、超大通带及互补金属氧化物半导体（CMOS）集成工艺兼容等优势，满足了未来超高速应用场景对超高速率、高集成度、多波长通信、高热稳定性及晶圆级生产等需求，是硅基光电子领域的重大突破，为高速、短距离数据中心和光通信的应用提供了重要关键技术支撑，对于下一代数据中心的发展意义重大。”王兴军介绍。 “随着人工智能、大数据、云计算等新一代信息技术的大规模应用，全球数据总量呈指数式增长，以硅基光电子为代表的光电子集成技术成为光通信系统重要发展趋势。在硅基光电子芯片系统中，硅基调制器可以实现电信号向光信号的功能转换，具有低成本、高集成度、CMOS工艺兼容等优点，是完成片上信息传输与处理的关键有源器件。”王兴军表示，但受限于硅材料本身较慢的载流子输运速率，纯硅调制器带宽典型值一般为30GHz-40GHz，难以适应未来超过100Gbaud通信速率的需要，因而也成为硅基光电子学在高速领域发展瓶颈之一。 在本次工作中，研究团队针对传统硅基调制器带宽受限问题，利用硅基耦合谐振腔光波导结构引入慢光效应，构建了完整的硅基慢光调制器理论模型，通过合理调控结构参数以综合平衡光学与电学指标因素，实现对调制器性能的深度优化。研究团队基于CMOS集成工艺兼容的硅基光电子标准工艺，在纯硅材料体系下设计并制备了在1550纳米左右通信波长下工作的超高带宽硅基慢光调制器，实现了110 GHz的超高电光带宽，突破了迄今为止纯硅调制器的带宽上限，并同时将调制臂尺寸缩短至百微米数量级，在无需数字信号处理的情况下，以简单二进制振幅键控调制格式实现单通道超过110 Gbps的高速信号传输，降低算法成本与信号延迟，同时在宽达8纳米的超大光学通带内保持多波长通信性能的高度均一性。 “研究团队在不引入异质材料与复杂工艺的前提下，实现了硅基调制器带宽性能的飞跃，未来还可实现低成本晶圆级的量产，展示了硅基光电子学在下一代超高速应用领域的巨大价值。”王兴军说。